Unterschiede

Hier werden die Unterschiede zwischen zwei Versionen angezeigt.

--- de:parts:zip_ram [2016/01/28 05:42] – Tobias Seiler
+++ de:parts:zip_ram [2017/12/03 14:50] (aktuell) – KM44C1000Z hinzugefügt Rene F.
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 Die Pins werden in Löcher in der Platine gesteckt, sodaß die Bausteine in einem rechten Winkel dazu stehen und so enger aneinander gereiht werden können als DIP Bausteine der gleichen Größe.
-ZIP Bausteine wurden von SMD Bauformen abgelöst wie dem "small-outline package (TSOP)", welches z.B. für SIMM (single-in-line memory module) und DIMM Module (dual-in-line memory module) verwendet wurde.
+ZIP Bausteine wurden von SMD Bauformen abgelöst wie dem "small-outline package (TSOP)", welches z.B. für [[de:parts:simm]] (single-in-line memory module) und DIMM [[de:parts:ram]] Module (dual-in-line memory module) verwendet wurde.
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 |HYB511000BZ|NEC|1 M x 1Bit| |page mode|Dynamic RAM Low Power|
-|KM41C4000Z |?|4M x 1Bit| |Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
+|KM41C4000Z|Samsung|4M x 1Bit| |Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
+|KM44C1000Z-8|Samsung|4MBit|80ns|Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
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